ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
FF6MR12W2M1PB11BPSA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
FF6MR12W2M1PB11BPSA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
SIC 2N-CH 1200V 200A
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 200A (Tj) Chassis Mount
ສິນຄ້າ:
12822931
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
FF6MR12W2M1PB11BPSA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
CoolSiC™+
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
Silicon Carbide (SiC)
ການຕັ້ງຄ່າ
2 N-Channel (Dual)
ລັກສະນະ FET
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200V (1.2kV)
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
200A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.63mOhm @ 200A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.55V @ 80mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
496nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
14700pF @ 800V
ພະລັງ - Max
-
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-40°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Chassis Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
Module
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
FF6MR12
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
18
ຊື່ ອື່ນໆ
448-FF6MR12W2M1PB11BPSA1
SP004134434
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRF5810
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
FMM150-0075P
MOSFET 2N-CH 75V 150A I4-PAC
BUK7K6R2-40E/CX
MOSFET 2N-CH 56LFPAK
