ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
FF23MR12W1M1B11BOMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
FF23MR12W1M1B11BOMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
SIC 2N-CH 1200V 50A MODULE
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 50A Chassis Mount Module
ສິນຄ້າ:
242 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12801059
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
FF23MR12W1M1B11BOMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tray
ຊຸດ
CoolSiC™+
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
Silicon Carbide (SiC)
ການຕັ້ງຄ່າ
2 N-Channel (Dual)
ລັກສະນະ FET
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200V (1.2kV)
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.55V @ 20mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
125nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3950pF @ 800V
ພະລັງ - Max
-
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-40°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Chassis Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
Module
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
Module
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
FF23MR12
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
24
ຊື່ ອື່ນໆ
SP001602224
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
Not Applicable
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IPG20N06S415ATMA1
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
IPG20N06S2L65ATMA1
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
IPG20N04S412AATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON