ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
BUZ32H3045AATMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
BUZ32H3045AATMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO263-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 200 V 9.5A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
ສິນຄ້າ:
12799870
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
BUZ32H3045AATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
SIPMOS®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
9.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
530 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
75W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO263-3-2
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
BUZ32
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
BUZ32L3045AIN-DG
BUZ32 H3045A
BUZ32H3045AIN-DG
SP000736086
SP000102174
BUZ32 L3045A
BUZ32L3045AXT
BUZ32H3045AIN
BUZ32 L3045A-DG
BUZ32L3045AIN
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
RCJ120N20TL
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
33
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
RCJ120N20TL-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.44
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IRL630SPBF
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IRL630SPBF-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.00
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IPA60R190E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
BSL207SPH6327XTSA1
MOSFET P-CH 20V 6A TSOP-6
BSF030NE2LQXUMA1
MOSFET N-CH 25V 24A/75A 2WDSON
