ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
BTS282ZE3180AATMA2
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
BTS282ZE3180AATMA2-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 49 V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-1
ສິນຄ້າ:
12799743
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
BTS282ZE3180AATMA2 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TEMPFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
49 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 240µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
232 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4800 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
Temperature Sensing Diode
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
300W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-40°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO263-7-1
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
BTS282
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
INFINFBTS282ZE3180AATMA2
BTS282ZE3180AATMA2DKR
BTS282ZE3180AATMA2-DG
SP000910848
2156-BTS282ZE3180AATMA2
BTS282ZE3180AATMA2CT
BTS282ZE3180AATMA2TR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IPB530N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
BSC019N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
IPA65R310CFDXKSA2
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220
