ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
BSZ42DN25NS3GATMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
BSZ42DN25NS3GATMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 250 V 5A (Tc) 33.8W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-2
ສິນຄ້າ:
23202 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12801515
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
BSZ42DN25NS3GATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
425mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 13µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
430 pF @ 100 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
33.8W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TSDSON-8-2
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerTDFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
BSZ42DN25
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
5,000
ຊື່ ອື່ນໆ
BSZ42DN25NS3 GCT-DG
BSZ42DN25NS3 GDKR-DG
BSZ42DN25NS3 GDKR
BSZ42DN25NS3 G-DG
BSZ42DN25NS3G
BSZ42DN25NS3GATMA1CT
BSZ42DN25NS3 GTR-DG
BSZ42DN25NS3 GCT
BSZ42DN25NS3 G
BSZ42DN25NS3GATMA1DKR
BSZ42DN25NS3GATMA1TR
SP000781796
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IPB100N06S3-04
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
IPD650P06NMATMA1
MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
IPU060N03L G
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
