ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
BSZ22DN20NS3GATMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
BSZ22DN20NS3GATMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 200 V 7A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
ສິນຄ້າ:
9286 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12799722
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
BSZ22DN20NS3GATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
225mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 13µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
430 pF @ 100 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
34W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TSDSON-8
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerTDFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
BSZ22DN20
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
5,000
ຊື່ ອື່ນໆ
BSZ22DN20NS3G
BSZ22DN20NS3GTR
2156-BSZ22DN20NS3GATMA1
BSZ22DN20NS3GDKR-DG
BSZ22DN20NS3GATMA1DKR
SP000781794
BSZ22DN20NS3GDKR
BSZ22DN20NS3GCT-DG
BSZ22DN20NS3GTR-DG
BSZ22DN20NS3GATMA1TR
IFEINFBSZ22DN20NS3GATMA1
BSZ22DN20NS3GCT
BSZ22DN20NS3GATMA1CT
BSZ22DN20NS3 G
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IPB015N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
BUZ31 H3045A
MOSFET N-CH 200V 14.5A D2PAK
IPB45P03P4L11ATMA1
MOSFET P-CH 30V 45A TO263-3