ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
BSZ0904NSIATMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
BSZ0904NSIATMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
ສິນຄ້າ:
14991 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12824930
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
BSZ0904NSIATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
18A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1463 pF @ 15 V
ລັກສະນະ FET
Schottky Diode (Body)
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.1W (Ta), 37W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TSDSON-8-FL
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerTDFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
BSZ0904
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
5,000
ຊື່ ອື່ນໆ
BSZ0904NSIATMA1CT
SP000854390
BSZ0904NSIATMA1DKR
BSZ0904NSIDKR-DG
2156-BSZ0904NSIATMA1TR
BSZ0904NSIATMA1TR
BSZ0904NSITR
BSZ0904NSICT
BSZ0904NSI
BSZ0904NSIDKR
BSZ0904NSICT-DG
BSZ0904NSITR-DG
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SI3139K-TP
MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
SI2305B-TP
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
SI2306-TP
MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23
