ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
BSZ0901NSATMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
BSZ0901NSATMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 30 V 22A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
ສິນຄ້າ:
4045 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12855382
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
BSZ0901NSATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
22A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2850 pF @ 15 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.1W (Ta), 50W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TSDSON-8
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerTDFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
BSZ0901
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
5,000
ຊື່ ອື່ນໆ
2156-BSZ0901NSATMA1
BSZ0901NS
BSZ0901NSDKR-DG
BSZ0901NSDKR
BSZ0901NSTR
BSZ0901NSATMA1CT
INFINFBSZ0901NSATMA1
SP000854570
BSZ0901NSATMA1DKR
BSZ0901NSTR-DG
BSZ0901NSATMA1TR
BSZ0901NSCT
BSZ0901NSCT-DG
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FDMS8820
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
10003
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FDMS8820-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.44
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
NVTFS6H850NTAG
MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
NDS331N_D87Z
MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
SPI12N50C3XKSA1
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO262-3
