BSS123IXTMA1
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

BSS123IXTMA1

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

BSS123IXTMA1-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

100V N-CH SMALL SIGNAL MOSFET IN
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 100 V 190mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3-5

ສິນຄ້າ:

12985211
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

BSS123IXTMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Discontinued at Digi-Key
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
190mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 13µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.63 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
15 pF @ 50 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
500mW (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-SOT23-3-5
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
BSS123

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
448-BSS123IXTMA1TR
448-BSS123IXTMA1CT
SP005558639
448-BSS123IXTMA1DKR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
BSS123IXTSA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
7750
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
BSS123IXTSA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.03
ປ່ແທນປະເພດ
Parametric Equivalent
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
goford-semiconductor

G15N10C

N100V,RD(MAX)<110M@10V,RD(MAX)<1

rohm-semi

SCT4062KRHRC15

1200V, 26A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

micro-commercial-components

MCAC28P06Y-TP

P-CHANNEL MOSFET, DFN5060

diodes

DMP2008USS-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.