ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
BSP716NH6327XTSA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
BSP716NH6327XTSA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 75V 2.3A SOT223-4
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 75 V 2.3A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
ສິນຄ້າ:
12801097
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
BSP716NH6327XTSA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 218µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
315 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1.8W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-SOT223-4
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-261-4, TO-261AA
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
BSP716
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
ROCINFBSP716NH6327XTSA1
SP001087514
BSP716NH6327XTSA1-DG
BSP716NH6327XTSA1TR
BSP716NH6327XTSA1CT
2156-BSP716NH6327XTSA1
BSP716NH6327XTSA1DKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FDT86106LZ
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
22653
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FDT86106LZ-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.48
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IPD65R1K5CEAUMA1
MOSFET N-CH 700V 5.2A TO252-3
IPB120N06S402ATMA2
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
IPD10N03LA G
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
