ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
BSP373NH6327XTSA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
BSP373NH6327XTSA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 100 V 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
ສິນຄ້າ:
7841 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12800708
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
BSP373NH6327XTSA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
240mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 218µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
265 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1.8W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-SOT223-4
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-261-4, TO-261AA
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
BSP373
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
BSP373NH6327XTSA1CT
BSP373NH6327XTSA1DKR
BSP373NH6327XTSA1TR
BSP373NH6327XTSA1-DG
SP001059328
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IMW120R140M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-3
IPD60R650CEAUMA1
CONSUMER
IPC50R045CPX1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
