ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
BSP129L6327HTSA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
BSP129L6327HTSA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 240 V 350mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
ສິນຄ້າ:
12847908
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
BSP129L6327HTSA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
SIPMOS®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
240 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
350mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 350mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 108µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.7 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
108 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
Depletion Mode
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1.8W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-SOT223-4-21
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-261-4, TO-261AA
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
INFINFBSP129L6327HTSA1
SP000089218
BSP129L6327HTSA1TR
BSP129 L6327-DG
BSP129 L6327
2156-BSP129L6327HTSA1-ITTR
BSP129L6327XT
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
BSP129H6327XTSA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
4926
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
BSP129H6327XTSA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.29
ປ່ແທນປະເພດ
Parametric Equivalent
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
NTMS5835NLR2G
MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC
FDA33N25
MOSFET N-CH 250V 33A TO3PN
HUF76633S3ST
MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK