ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
BSP125L6327HTSA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
BSP125L6327HTSA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
ສິນຄ້າ:
12853484
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
BSP125L6327HTSA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
SIPMOS®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
120mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45Ohm @ 120mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 94µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
150 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1.8W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-SOT223-4-21
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-261-4, TO-261AA
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
INFINFBSP125L6327HTSA1
SP000089204
BSP125 L6327
BSP125 L6327-DG
BSP125L6327HTSA1TR
2156-BSP125L6327HTSA1-ITTR
BSP125L6327XT
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
BSP125H6327XTSA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
27360
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
BSP125H6327XTSA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.28
ປ່ແທນປະເພດ
Parametric Equivalent
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
2SK3431-Z-E1-AZ
MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB
MCH6342-TL-H
MOSFET P-CH 30V 4.5A 6MCPH
MTP23P06VG
MOSFET P-CH 60V 23A TO220AB