BSP125H6433XTMA1
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

BSP125H6433XTMA1

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

BSP125H6433XTMA1-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4

ສິນຄ້າ:

4900 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12861660
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

BSP125H6433XTMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
SIPMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
120mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 94µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
150 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1.8W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-SOT223-4
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-261-4, TO-261AA
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
BSP125

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
4,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SP001058578
BSP125H6433XTMA1DKR
BSP125H6433XTMA1TR
BSP125H6433XTMA1CT
2156-BSP125H6433XTMA1
BSP125H6433XTMA1-DG
INFINFBSP125H6433XTMA1

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
renesas-electronics-america

RJK0353DPA-WS#J0B

MOSFET N-CH 30V 35A WPAK

renesas-electronics-america

H7N1002LSTL-E

MOSFET N-CH 100V 75A 4LDPAK

renesas-electronics-america

NP60N04KUG-E1-AY

MOSFET N-CH 40V 60A TO263