ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
BSP123L6327HTSA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
BSP123L6327HTSA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223-4
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 100 V 370mA (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
ສິນຄ້າ:
12800677
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
BSP123L6327HTSA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
SIPMOS®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
370mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 370mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 50µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
70 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1.79W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-SOT223-4
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-261-4, TO-261AA
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
BSP123INCT-DG
BSP123L6327HTSA1DKR
BSP123
BSP123INTR
BSP123INDKR-DG
BSP123INTR-DG
BSP123L6327HTSA1TR
BSP123 L6327-DG
BSP123L6327-DG
BSP123L6327INCT-DG
BSP123L6327
BSP123L6327XT
BSP123L6327INDKR-DG
BSP123L6327INCT
BSP123L6327INDKR
BSP123L6327INTRINACTIVE
BSP123INCT
BSP123L6327INCTINACTIVE
BSP123 L6327
BSP123L6327TR
SP000089202
BSP123L6327HTSA1CT
BSP123L6327TR-DG
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IPN60R3K4CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
BSS169H6906XTSA1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
IPP084N06L3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
