BSC150N03LDGATMA1
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

BSC150N03LDGATMA1

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

BSC150N03LDGATMA1-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 30V 8A 26W Surface Mount PG-TDSON-8-4

ສິນຄ້າ:

50841 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12798574
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

BSC150N03LDGATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
2 N-Channel (Dual)
ລັກສະນະ FET
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 15V
ພະລັງ - Max
26W
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerVDFN
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TDSON-8-4
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
BSC150

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
5,000
ຊື່ ອື່ນໆ
BSC150N03LD GTR
BSC150N03LDGATMA1DKR
BSC150N03LDGATMA1TR
BSC150N03LD G-DG
SP000359362
BSC150N03LD GDKR
BSC150N03LD GCT
BSC150N03LD G
BSC150N03LDG
BSC150N03LD GDKR-DG
BSC150N03LD GTR-DG
BSC150N03LD GCT-DG
BSC150N03LDGATMA1CT

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
infineon-technologies

AUIRFN8459TR

MOSFET 2N-CH 40V 50A PQFN

infineon-technologies

AUIRF7309Q

MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC

infineon-technologies

AUIRF7341Q

MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC

infineon-technologies

BSC072N03LDGATMA1

MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON