BSC097N06NSATMA1
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

BSC097N06NSATMA1

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

BSC097N06NSATMA1-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 60 V 46A (Tc) 2.5W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6

ສິນຄ້າ:

35221 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12848492
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

BSC097N06NSATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
46A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.7mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 14µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1075 pF @ 30 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.5W (Ta), 36W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TDSON-8-6
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerTDFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
BSC097

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
5,000
ຊື່ ອື່ນໆ
BSC097N06NSATMA1TR
SP001067004
BSC097N06NSATMA1DKR
BSC097N06NSATMA1CT

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
infineon-technologies

AUIRFN7110TR

MOSFET N-CH 100V 58A 8PQFN

onsemi

FDD24AN06LA0-F085

MOSFET N-CH 60V 7.1A/40A TO252AA

alpha-and-omega-semiconductor

AOT2904

MOSFET N-CH 100V 120A TO220

onsemi

FDMS8023S

MOSFET N-CH 30V 26A/49A 8PQFN