ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
BSC093N04LSGATMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
BSC093N04LSGATMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 40 V 13A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
ສິນຄ້າ:
29370 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12799673
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
BSC093N04LSGATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
13A (Ta), 49A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 14µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 20 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.5W (Ta), 35W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TDSON-8-5
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerTDFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
BSC093
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
5,000
ຊື່ ອື່ນໆ
BSC093N04LS G
SP000387929
BSC093N04LSGATMA1DKR
BSC093N04LS GDKR
BSC093N04LS GCT-DG
BSC093N04LSGATMA1CT-DGTR-DG
BSC093N04LS GTR-DG
BSC093N04LSGATMA1CT
BSC093N04LS GTR
BSC093N04LS GDKR-DG
BSC093N04LS G-DG
BSC093N04LS GCT
BSC093N04LSGATMA1DKR-DGTR-DG
BSC093N04LSGATMA1TR
BSC093N04LSG
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
BSZ16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
BSC059N03ST
MOSFET N-CH 30V 19A/89A TDSON
IPD50P04P4L11ATMA1
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3