ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
BSC077N12NS3GATMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
BSC077N12NS3GATMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 120 V 13.4A (Ta), 98A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
ສິນຄ້າ:
28553 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12798587
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
BSC077N12NS3GATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
120 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
13.4A (Ta), 98A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 110µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5700 pF @ 60 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
139W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TDSON-8-1
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerTDFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
BSC077
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
5,000
ຊື່ ອື່ນໆ
BSC077N12NS3 GTR
BSC077N12NS3GATMA1CT-DGTR-DG
BSC077N12NS3 GTR-DG
SP000652750
BSC077N12NS3 G-DG
BSC077N12NS3GATMA1TR
BSC077N12NS3 G
BSC077N12NS3 GCT-DG
BSC077N12NS3GATMA1DKR
BSC077N12NS3 GCT
BSC077N12NS3G
BSC077N12NS3 GDKR
BSC077N12NS3GATMA1DKR-DGTR-DG
BSC077N12NS3GATMA1CT
BSC077N12NS3 GDKR-DG
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
AUIRLR2905
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
AUIRFR3607TRL
MOSFET N-CH 75V 80A DPAK
64-6006PBF
MOSFET N-CH 300V 46A TO247AC