ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
BSB044N08NN3GXUMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
BSB044N08NN3GXUMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 80 V 18A (Ta), 90A (Tc) 2.2W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
ສິນຄ້າ:
5725 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12830496
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
BSB044N08NN3GXUMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
18A (Ta), 90A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 97µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5700 pF @ 40 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.2W (Ta), 78W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-40°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
MG-WDSON-2, CanPAK M™
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
3-WDSON
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
BSB044
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
5,000
ຊື່ ອື່ນໆ
BSB044N08NN3 GDKR
BSB044N08NN3GXUMA1TR
2156-BSB044N08NN3GXUMA1-448
BSB044N08NN3 GTR-DG
BSB044N08NN3 G-DG
BSB044N08NN3 GCT
BSB044N08NN3GXUMA1DKR
BSB044N08NN3G
BSB044N08NN3 G
BSB044N08NN3 GCT-DG
BSB044N08NN3GXUMA1CT
SP000604542
BSB044N08NN3 GDKR-DG
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
3 (168 Hours)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
BUK9508-55B,127
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
PSMN030-150P,127
MOSFET N-CH 150V 55.5A TO220AB
PMBF170,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
