ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
BSB008NE2LXXUMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
BSB008NE2LXXUMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 25V 46A/180A 2WDSON
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 25 V 46A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
ສິນຄ້າ:
12802287
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
BSB008NE2LXXUMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
46A (Ta), 180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
343 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
16000 pF @ 12 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-40°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
MG-WDSON-2, CanPAK M™
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
3-WDSON
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
BSB008
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
5,000
ຊື່ ອື່ນໆ
448-BSB008NE2LXXUMA1CT
448-BSB008NE2LXXUMA1TR
SP000880866
448-BSB008NE2LXXUMA1DKR
BSB008NE2LXXUMA1-DG
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IRF6717MTRPBF
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
8674
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IRF6717MTRPBF-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.21
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IPW60R170CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 14A TO247-3
BSS119 E7978
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
AUIRFR5305
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
