ICE47N60W

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

ICE47N60W

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

IceMOS Technology

ເລະທີ່ສ່ວນ:

ICE47N60W-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

Superjunction MOSFET

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 600 V 47A (Tc) 431W (Tc) Through Hole TO-247

ສິນຄ້າ:

2100 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

13002109

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

ICE47N60W ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

IceMOS Technology

ບັນທຶກ

Tube

ຊຸດ

-

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

47A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

68mOhm @ 24A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.9V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

189 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

5718 pF @ 25 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

431W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-247

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-247-3

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

30

ຊື່ ອື່ນໆ

5133-ICE47N60W

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

goford-semiconductor

G2002A

MOSFET N-CH 200V 2A SOT-23-6L

micro-commercial-components

SI3415C-TP

P-CHANNEL MOSFET, SOT-23

AOB66811L

FET N CHANNEL 80V

micro-commercial-components

MCTL295N06Y-TP

N-CHANNEL MOSFET, TOLL-8L