ICE19N60L

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

ICE19N60L

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

IceMOS Technology

ເລະທີ່ສ່ວນ:

ICE19N60L-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

Superjunction MOSFET

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 600 V 19A (Tc) 236W (Tc) Surface Mount 4-DFN (8x8)

ສິນຄ້າ:

6000 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12992670

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

ICE19N60L ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

IceMOS Technology

ບັນທຶກ

Tape & Reel (TR)

ຊຸດ

-

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

19A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

220mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.9V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

59 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2064 pF @ 25 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

236W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

4-DFN (8x8)

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

4-PowerTSFN

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

3,000

ຊື່ ອື່ນໆ

5133-ICE19N60LTR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

vishay-siliconix

SQJ123ELP-T1_GE3

AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)

FQD9N25TM-SBEK002

MOSFET N-CH 250V 7.4A TO252AA

diodes

DMP22D5UFZ-7B

MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0606-

diodes

DMN2992UFB4-7B

MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-