GT100N12K
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

GT100N12K

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Goford Semiconductor

ເລະທີ່ສ່ວນ:

GT100N12K-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

N120V,65A,RD<12M@10V,VTH2.5V~3.5
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 120 V 65A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-252

ສິນຄ້າ:

2500 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12997601
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

GT100N12K ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Goford Semiconductor
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
120 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
65A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2911 pF @ 60 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
75W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-252
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,500
ຊື່ ອື່ນໆ
3141-GT100N12KTR
3141-GT100N12KCT
3141-GT100N12KDKR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
RoHS Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
3 (168 Hours)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
goford-semiconductor

GT025N06AM

N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.

goford-semiconductor

GT025N06AM

MOSFET N-CH 60V 170A TO-263

goford-semiconductor

GT035N10T

N100V,190A,RD<3.5M@10V,VTH2.0V~4

goford-semiconductor

GT007N04TL

N40V,150A,RD<1.5M@10V,VTH1.0V~2.