GT100N04D3
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

GT100N04D3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Goford Semiconductor

ເລະທີ່ສ່ວນ:

GT100N04D3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

N40V, 13A,RD<10M@10V,VTH1.0V~2.5
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 40 V 13A (Tc) 23W (Tc) Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)

ສິນຄ້າ:

4709 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
13002658
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

GT100N04D3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Goford Semiconductor
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
SGT
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
642 pF @ 20 V
ລັກສະນະ FET
Standard
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
23W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-DFN (3.15x3.05)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerVDFN

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
5,000
ຊື່ ອື່ນໆ
4822-GT100N04D3TR
3141-GT100N04D3CT
3141-GT100N04D3DKR
3141-GT100N04D3TR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
RoHS Compliant
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
goford-semiconductor

G900P15M

P-150V,-60A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH

epc-space

EPC7003AC

GAN FET HEMT 100V 5A COTS 4UB

diodes

DMN2710UFB-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6K824R,LF

N-CH MOSFET 20V, +/-8V, 6A ,0.03