GC20N65F
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

GC20N65F

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Goford Semiconductor

ເລະທີ່ສ່ວນ:

GC20N65F-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 650V 20A TO-220F
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 20A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220F

ສິນຄ້າ:

20000 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12977626
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

GC20N65F ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Goford Semiconductor
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
Cool MOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±30V
ລັກສະນະ FET
Standard
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
40W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220F
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3 Full Pack

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
GC20N65F

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,000
ຊື່ ອື່ນໆ
4822-GC20N65F

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
RoHS non-compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
3 (168 Hours)
ສະຖານະພາບ REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
goford-semiconductor

GC11N65K

N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4

goford-semiconductor

GC11N65K

MOSFET N-CH 650V 11A TO-252

rohm-semi

R8003KND3TL1

HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A

vishay-siliconix

IRF730APBF-BE3

MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB