ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
GC11N65D5
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Goford Semiconductor
ເລະທີ່ສ່ວນ:
GC11N65D5-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
N650V, 11A,RD<360M@10V,VTH2.5V~4
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount 8-DFN (4.9x5.75)
ສິນຄ້າ:
13001688
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
GC11N65D5 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Goford Semiconductor
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
G
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
901 pF @ 50 V
ລັກສະນະ FET
Standard
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
78W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-DFN (4.9x5.75)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerTDFN
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
5,000
ຊື່ ອື່ນໆ
3141-GC11N65D5DKR
4822-GC11N65D5TR
3141-GC11N65D5TR
3141-GC11N65D5CT
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IPP026N04NF2SAKMA1
TRENCH PG-TO220-3
MSC035SMA070J
MOSFET SIC 700 V 35 MOHM SOT-227
SIJH5800E-T1-GE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
