G700P06D3

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

G700P06D3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Goford Semiconductor

ເລະທີ່ສ່ວນ:

G700P06D3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

P-60V,-18A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

P-Channel 60 V 18A (Tc) 32W (Tc) Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)

ສິນຄ້າ:

1820 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12989748

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

G700P06D3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Goford Semiconductor

ບັນທຶກ

Tape & Reel (TR)

ຊຸດ

G

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

P-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

18A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1446 pF @ 30 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

32W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

8-DFN (3.15x3.05)

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

8-PowerVDFN

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

5,000

ຊື່ ອື່ນໆ

3141-G700P06D3CT

3141-G700P06D3TR

3141-G700P06D3DKR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

nte-electronics

NTE2984

MOSFET-PWR N-CHAN 60V 17A TO-220

infineon-technologies

IPB65R155CFD7ATMA1

HIGH POWER_NEW

toshiba-semiconductor-and-storage

TK110U65Z,RQ

DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ

infineon-technologies

IPW65R090CFD7XKSA1

HIGH POWER_NEW