ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
G65P06T
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Goford Semiconductor
ເລະທີ່ສ່ວນ:
G65P06T-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 60V 65A TO-220
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 65A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220
ສິນຄ້າ:
13000952
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
G65P06T ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Goford Semiconductor
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
65A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
ລັກສະນະ FET
Standard
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
130W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,000
ຊື່ ອື່ນໆ
4822-G65P06T
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
RoHS non-compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
3 (168 Hours)
ສະຖານະພາບ REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
GT105N10T
N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)<
NVMYS2D3N06CTWG
T6 60V SL LFPAK4 5X6
DMT12H060LFDF-7
MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202
