G11S
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

G11S

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Goford Semiconductor

ເລະທີ່ສ່ວນ:

G11S-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 11A (Tc) 3.3W (Tc) Surface Mount 8-SOP

ສິນຄ້າ:

90000 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
13001224
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

G11S ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Goford Semiconductor
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18.4mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
Vgs (Max)
±12V
ລັກສະນະ FET
Standard
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
3.3W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-SOP
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
4,000
ຊື່ ອື່ນໆ
4822-G11STR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
RoHS non-compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
3 (168 Hours)
ສະຖານະພາບ REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
nexperia

BUK4D110-20PX

SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI

toshiba-semiconductor-and-storage

TW140N120C,S1F

G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 140M

littelfuse

IXFX130N65X3

DISCRETE MOSFET 130A 650V X3 PLU

goford-semiconductor

GT105N10T

MOSFET N-CH 100V 55A TO-220