ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
G3R350MT12J
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
GeneSiC Semiconductor
ເລະທີ່ສ່ວນ:
G3R350MT12J-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 1200 V 11A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-263-7
ສິນຄ້າ:
3807 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12977985
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
G3R350MT12J ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
GeneSiC Semiconductor
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
G3R™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
420mOhm @ 4A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.69V @ 2mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 15 V
Vgs (Max)
±15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
334 pF @ 800 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
75W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-263-7
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
G3R350
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ຊື່ ອື່ນໆ
1242-G3R350MT12J
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
RoHS Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRF9630PBF-BE3
MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
IQE006NE2LM5ATMA1
MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON
SIHFL110TR-BE3
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
