G3R30MT12K

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

G3R30MT12K

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

GeneSiC Semiconductor

ເລະທີ່ສ່ວນ:

G3R30MT12K-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 1200 V 90A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-247-4

ສິນຄ້າ:

3506 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12945355

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

G3R30MT12K ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

GeneSiC Semiconductor

ບັນທຶກ

Tube

ຊຸດ

G3R™

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

SiCFET (Silicon Carbide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

90A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 50A, 15V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.69V @ 12mA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

155 nC @ 15 V

Vgs (Max)

±15V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3901 pF @ 800 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

400W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 175°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-247-4

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-247-4

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

G3R30

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

30

ຊື່ ອື່ນໆ

1242-G3R30MT12K

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

genesic-semiconductor

G3R45MT17K

SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4

genesic-semiconductor

G3R20MT17N

SIC MOSFET N-CH 100A SOT227

SQJ152ELP-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 123A PPAK SO-8

AONS18314

MOSFET N-CH 30V 8DFN