FQPF6N80T
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

FQPF6N80T

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Fairchild Semiconductor

ເລະທີ່ສ່ວນ:

FQPF6N80T-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 800 V 3.3A (Tc) 51W (Tc) Through Hole TO-220F-3

ສິນຄ້າ:

3715 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12946624
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

FQPF6N80T ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
QFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
3.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.95Ohm @ 1.65A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
51W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220F-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3 Full Pack

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
FQPF6N80T Datasheet

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
240
ຊື່ ອື່ນໆ
2156-FQPF6N80T
FAIFSCFQPF6N80T

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
fairchild-semiconductor

FQP4N20L

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

international-rectifier

IRF6726MTRPBF

IRF6726 - 12V-300V N-CHANNEL POW

fairchild-semiconductor

FDPF44N25TRDTU

MOSFET N-CH 250V 44A TO220F

fairchild-semiconductor

FQPF7N80C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6