FQPF19N10
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

FQPF19N10

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Fairchild Semiconductor

ເລະທີ່ສ່ວນ:

FQPF19N10-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 100 V 13.6A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3

ສິນຄ້າ:

582 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12947160
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

FQPF19N10 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
QFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
13.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
780 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
38W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220F-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3 Full Pack

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
FQPF19N10 Datasheet

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1
ຊື່ ອື່ນໆ
ONSONSFQPF19N10
2156-FQPF19N10

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
nexperia

OP540/BD/C3,027

OP540/BD - CUSTOM MOSFET

international-rectifier

IRF8304MTRPBF

IRF8304 - 12V-300V N-CHANNEL POW

fairchild-semiconductor

FQPF19N20

MOSFET N-CH 200V 11.8A TO220F

international-rectifier

IRF6646TRPBF

IRF6646 - 12V-300V N-CHANNEL POW