FQP2N60

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

FQP2N60

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Fairchild Semiconductor

ເລະທີ່ສ່ວນ:

FQP2N60-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220-3

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 600 V 2.4A (Tc) 64W (Tc) Through Hole TO-220-3

ສິນຄ້າ:

84915 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

13077396

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

FQP2N60 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

ບັນທຶກ

Tube

ຊຸດ

QFET®

ແພັກເກດ

Tube

ສະຖານະພາບຂອງພາກສ່ວນ

Obsolete

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

2.4A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.7Ohm @ 1.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

350 pF @ 25 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

64W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-220-3

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-220-3

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

307

ຊື່ ອື່ນໆ

FAIFSCFQP2N60

2156-FQP2N60-FS

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

fairchild-semiconductor

FQU20N06TU

MOSFET N-CH 60V 16.8A IPAK

fairchild-semiconductor

FDJ129P

MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6 FLMP

fairchild-semiconductor

HUF75343S3

MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK

fairchild-semiconductor

FDPF7N50U

MOSFET N-CH 500V 5A TO220F