FQI6N60CTU

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

FQI6N60CTU

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Fairchild Semiconductor

ເລະທີ່ສ່ວນ:

FQI6N60CTU-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 600 V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

ສິນຄ້າ:

1844 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12907680

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

FQI6N60CTU ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

ບັນທຶກ

Tube

ຊຸດ

QFET®

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Obsolete

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

5.5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 2.75A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

810 pF @ 25 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

125W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-262 (I2PAK)

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

398

ຊື່ ອື່ນໆ

FAIFSCFQI6N60CTU

2156-FQI6N60CTU-FS

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

vishay-siliconix

IRFBF30SPBF

MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

vishay-siliconix

IRF614S

MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK

vishay-siliconix

IRF744PBF

MOSFET N-CH 450V 8.8A TO220AB

littelfuse

IXFB40N110P

MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264