FDS8882
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

FDS8882

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Fairchild Semiconductor

ເລະທີ່ສ່ວນ:

FDS8882-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 30 V 9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

ສິນຄ້າ:

56024 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12946847
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

FDS8882 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
PowerTrench®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
940 pF @ 15 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.5W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-SOIC
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
Datasheet

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
825
ຊື່ ອື່ນໆ
2156-FDS8882
ONSONSFDS8882

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
fairchild-semiconductor

FCPF7N60NT

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

fairchild-semiconductor

FQU2N90TU-AM002

MOSFET N-CH 900V 1.7A I-PAK

fairchild-semiconductor

FCPF36N60NT

MOSFET N-CH 600V 36A TO220F

fairchild-semiconductor

FDMS7694

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1