FDMS86152
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

FDMS86152

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Fairchild Semiconductor

ເລະທີ່ສ່ວນ:

FDMS86152-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 100 V 14A (Ta), 45A (Tc) 2.7W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

ສິນຄ້າ:

479 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12947038
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

FDMS86152 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
PowerTrench®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
14A (Ta), 45A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3370 pF @ 50 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.7W (Ta), 125W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-PQFN (5x6)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerTDFN

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
Datasheet

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
114
ຊື່ ອື່ນໆ
FAIFSCFDMS86152
2156-FDMS86152

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
fairchild-semiconductor

FDPF7N60NZT

MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220F

fairchild-semiconductor

FDMS7698

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

stmicroelectronics

STK30N2LLH5

MOSFET N-CH 25V 30A POLARPAK

international-rectifier

IRFBA1404PPBF

MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220