FDMA530PZ
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

FDMA530PZ

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Fairchild Semiconductor

ເລະທີ່ສ່ວນ:

FDMA530PZ-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 30 V 6.8A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)

ສິນຄ້າ:

1800 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12946958
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

FDMA530PZ ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
PowerTrench®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
6.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1070 pF @ 15 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.4W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
6-MicroFET (2x2)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
6-WDFN Exposed Pad

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
804
ຊື່ ອື່ນໆ
FAIFSCFDMA530PZ
2156-FDMA530PZ

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
international-rectifier

IRF1010ZPBF

IRF1010 - 12V-300V N-CHANNEL POW

fairchild-semiconductor

FDD8882

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

fairchild-semiconductor

FDMS8023S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FDB029N06

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK