ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
FDI038AN06A0
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Fairchild Semiconductor
ເລະທີ່ສ່ວນ:
FDI038AN06A0-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 60V 17A/80A I2PAK
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 60 V 17A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
ສິນຄ້າ:
2232 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12947643
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
FDI038AN06A0 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
PowerTrench®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
17A (Ta), 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
124 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6400 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
310W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-262 (I2PAK)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
102
ຊື່ ອື່ນໆ
FAIFSCFDI038AN06A0
2156-FDI038AN06A0
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
CMS100N04H8-HF
MOSFET N-CH 40V 100A DFN5X6
PMCM6501VNEZ
PMCM6501VNE - 12V, N-CHANNEL TRE
HUF75545P3
N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
