FDFMA2P853

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

FDFMA2P853

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Fairchild Semiconductor

ເລະທີ່ສ່ວນ:

FDFMA2P853-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

P-Channel 20 V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)

ສິນຄ້າ:

22471 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12946796

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

FDFMA2P853 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

ບັນທຶກ

Bulk

ຊຸດ

PowerTrench®

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

P-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

3A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±8V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

435 pF @ 10 V

ລັກສະນະ FET

Schottky Diode (Isolated)

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

1.4W (Ta)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

6-MicroFET (2x2)

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

6-VDFN Exposed Pad

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

FDFMA2P853 Datasheet

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

825

ຊື່ ອື່ນໆ

2156-FDFMA2P853

ONSONSFDFMA2P853

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ECCN

EAR99

HTSUS

8542.39.0001

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

fairchild-semiconductor

FCPF380N60

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FQP3N80C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

fairchild-semiconductor

FDB86102LZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8

fairchild-semiconductor

FQA27N25

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2