ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
FDD8874
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Fairchild Semiconductor
ເລະທີ່ສ່ວນ:
FDD8874-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 116A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
ສິນຄ້າ:
12947408
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
FDD8874 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
PowerTrench®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
18A (Ta), 116A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.1mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2990 pF @ 15 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
110W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-252 (DPAK)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
454
ຊື່ ອື່ນໆ
2156-FDD8874
FAIFSCFDD8874
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
HUF75321P3
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
PMN28UN,135
MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP
IRF7580MTRPBF
IRF7580 - 12V-300V N-CHANNEL POW