FDD8782
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

FDD8782

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Fairchild Semiconductor

ເລະທີ່ສ່ວນ:

FDD8782-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 25 V 35A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

ສິນຄ້າ:

157200 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12946700
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

FDD8782 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
PowerTrench®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1220 pF @ 13 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
50W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-252 (DPAK)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
588
ຊື່ ອື່ນໆ
2156-FDD8782
FAIFSCFDD8782

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
fairchild-semiconductor

FQP2N80

MOSFET N-CH 800V 2.4A TO220-3

fairchild-semiconductor

FDPF680N10T

MOSFET N-CH 100V 12A TO220F

fairchild-semiconductor

FQI8N60CTU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

international-rectifier

IRLR2905ZTRLPBF

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK