FDD2612
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

FDD2612

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Fairchild Semiconductor

ເລະທີ່ສ່ວນ:

FDD2612-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 200V 4.9A TO252
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 200 V 4.9A (Ta) 42W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)

ສິນຄ້າ:

2261 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12817589
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

FDD2612 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
PowerTrench®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
4.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
720mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
234 pF @ 100 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
42W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-252 (DPAK)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
FDD2612

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
360
ຊື່ ອື່ນໆ
2156-FDD2612-FSTR
FAIFSCFDD2612

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
fairchild-semiconductor

IRFS540A

MOSFET N-CH 100V 17A TO220F

fairchild-semiconductor

FDB20AN06A0

MOSFET N-CH 60V 9A/45A TO263AB

fairchild-semiconductor

FDP16N50

MOSFET N-CH 500V 16A TO220-3

international-rectifier

AUIRF3007

MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB