FDB8444
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

FDB8444

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Fairchild Semiconductor

ເລະທີ່ສ່ວນ:

FDB8444-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 40 V 70A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

ສິນຄ້າ:

167141 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12947223
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

FDB8444 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
PowerTrench®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
70A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
128 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8035 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
167W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-263 (D2PAK)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
Datasheet

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
264
ຊື່ ອື່ນໆ
2156-FDB8444
FAIFSCFDB8444

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
fairchild-semiconductor

FDP10N60NZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

HUF75542P3

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

fairchild-semiconductor

FDS8876

MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC

nxp-semiconductors

PSMN2R7-30BL,118

NOW NEXPERIA PSMN2R7-30BL - 100A