ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
FDA16N50LDTU
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Fairchild Semiconductor
ເລະທີ່ສ່ວນ:
FDA16N50LDTU-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 500 V 16.5A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-3PN (L-Forming)
ສິນຄ້າ:
26720 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12946889
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
FDA16N50LDTU ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
16.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1945 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
205W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-3PN (L-Forming)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-3P-3, SC-65-3 (Formed Leads)
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
190
ຊື່ ອື່ນໆ
2156-FDA16N50LDTU
FAIFSCFDA16N50LDTU
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRFH7914TRPBF
IRFH7914 - 12V-300V N-CHANNEL PO
FDPF12N50NZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
IRFSL7734PBF
IRFSL7734 - 12V-300V N-CHANNEL P