FCU3400N80Z
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

FCU3400N80Z

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Fairchild Semiconductor

ເລະທີ່ສ່ວນ:

FCU3400N80Z-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 800V 2A I-PAK
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 800 V 2A (Tc) 32W (Tc) Through Hole I-PAK

ສິນຄ້າ:

1691 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12946477
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

FCU3400N80Z ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
SuperFET® II
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 200µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
400 pF @ 100 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
32W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
I-PAK
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
492
ຊື່ ອື່ນໆ
2156-FCU3400N80Z
ONSFSCFCU3400N80Z

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
fairchild-semiconductor

FDD8451

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

fairchild-semiconductor

FDP8441

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FQPF8N90C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

fairchild-semiconductor

FQPF2N70

MOSFET N-CH 700V 2A TO220F