FCPF9N60NT
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

FCPF9N60NT

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Fairchild Semiconductor

ເລະທີ່ສ່ວນ:

FCPF9N60NT-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 29.8W (Tc) Through Hole TO-220F-3

ສິນຄ້າ:

1700 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12946482
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

FCPF9N60NT ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
SuperMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
385mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1240 pF @ 100 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
29.8W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220F-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3 Full Pack

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
217
ຊື່ ອື່ນໆ
2156-FCPF9N60NT
ONSONSFCPF9N60NT

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
international-rectifier

IRF6668TRPBF

IRF6668 - 12V-300V N-CHANNEL POW

stmicroelectronics

STD20NF06T4

MOSFET N-CH 60V 24A DPAK

fairchild-semiconductor

FDC855N

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

fairchild-semiconductor

FQP3N60C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3