FCP25N60N-F102
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

FCP25N60N-F102

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Fairchild Semiconductor

ເລະທີ່ສ່ວນ:

FCP25N60N-F102-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 216W (Tc) Through Hole TO-220-3

ສິນຄ້າ:

12979262
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

FCP25N60N-F102 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
SupreMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3352 pF @ 100 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
216W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
99
ຊື່ ອື່ນໆ
2156-FCP25N60N-F102
ONSFSCFCP25N60N-F102

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
diodes

DMP68D0LFB-7B

MOSFET BVDSS: 61V~100V X2-DFN100

onsemi

NVMFS4C308NWFT1G

TRENCH 30V NCH

onsemi

NTMFSC012N15MC

150V PTNG IN 5X6 DUALCOOL

onsemi

NTHL060N065SC1

SIC MOS TO247-3L 650V