FCD900N60Z
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

FCD900N60Z

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Fairchild Semiconductor

ເລະທີ່ສ່ວນ:

FCD900N60Z-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 4.5A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

ສິນຄ້າ:

1213 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12946344
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

FCD900N60Z ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
SuperFET® II
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
720 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
52W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-252 (DPAK)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
385
ຊື່ ອື່ນໆ
ONSONSFCD900N60Z
2156-FCD900N60Z

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
infineon-technologies

IPA60R280CFDD7

IPA60R280 - 600V COOLMOS N-CHANN

fairchild-semiconductor

FCP600N60Z

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

fairchild-semiconductor

FCP4N60

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

international-rectifier

AUIRFS3806

MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK